Intel и Infineon разработают новое поколение SIM-карт повышенной емкости

Компании Intel и Infineon сегодня анонсировали новый совместный проект по разработке нового поколения SIM-карт повышенной емкости. В Intel отмечают, что новинки будут поддерживать до 64 мегабайт встроенной памяти.

Европейский производитель микрочипов Infineon также сообщил, что в новых HD SIM-картах будет присутствовать обновленный 32-разрядный микроконтроллер, обеспечивающий безопасность данных. Intel со своей стороны разработает новое поколение специализированной компактной флеш-памяти для карт.

По словам пресс-службы Intel, на сегодня основные производственные мощности NOR-памяти создаются в соответствии с 130-нм технологическим процессом, планируемые же 64-мегабайтные модули для SIM-карт будут созданы в соответствии 65-нм технологией, а в последствии и с 45-нм.

Компании намерены вывести совместное решение к 2010 году. По оценкам аналитиков, через 3 года доля HD SIM-карт будет составлять 6-8%.